황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "기존의 검증된 공정 적용 전례를 깨고 최선단 공정을 적용해 성능 확장 여력을 충분히 확보했다"며 "고객사의 성능 상향 요구를 적기에 충족해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자 HBM4 제품
삼성전자가 업계 최고 성능을 갖춘 차세대 고대역폭 메모리 HBM4를 세계 최초로 양산 출하하며 시장 선점에 나섰다. 이번 제품은 개발 단계부터 국제 표준을 상회하는 목표를 설정해 AI 시대 급증하는 데이터 처리 수요에 최적화된 솔루션을 제공한다는 평이다.
1c D램·4나노 공정 도입…성능 한계 돌파
삼성전자는 이번 HBM4에 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입했다. 이를 통해 재설계 없이도 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 동시에 확보했다. 특히 베이스 다이에는 성능과 전력 효율에 유리한 4나노 파운드리 공정을 적용해 기술 경쟁력을 극대화했다.
동작 속도 면에서도 압도적이다. 삼성전자 HBM4는 JEDEC 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps를 안정적으로 구현했다. 전작인 HBM3E(9.6Gbps) 대비 약 1.22배 향상된 수치이며, 향후 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 대규모 AI 모델의 데이터 병목 현상을 효과적으로 해소할 전망이다.
대역폭 2.7배 향상 및 저전력 설계 최적화
단일 스택 기준 총 메모리 대역폭은 전작 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s에 달한다. 이는 주요 고객사의 요구 수준인 3.0TB/s를 훌쩍 뛰어넘는 수치다. 용량 면에서도 12단 적층 기술을 통해 24GB에서 36GB를 제공하며, 향후 16단 적층을 통해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.
전력 소모와 발열 문제 해결에도 공을 들였다. 데이터 전송 I/O 핀 수가 2048개로 대폭 늘어남에 따라 발생하는 열 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. 또한 TSV 데이터 송수신 저전압 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 에너지 효율을 전 세대 대비 약 40% 개선했으며, 방열 특성도 30%가량 향상시켰다.
원스톱 솔루션 기반 2026년 매출 3배 성장 전망
삼성전자는 로직, 메모리, 파운드리, 패키징을 모두 아우르는 세계 유일의 IDM 기업으로서 원스톱 솔루션 경쟁력을 강조했다. 부서 간 긴밀한 기술 협업(DTCO)을 통해 품질과 수율을 확보하고, 자체 선단 패키징 역량으로 공급망 리스크를 최소화한다는 전략이다.
시장 전망도 밝다. 삼성전자는 2026년 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 내다보고 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다. 2028년 가동 예정인 평택사업장 5라인을 HBM 생산 거점으로 활용해 중장기 수요에 대응할 방침이다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "기존의 검증된 공정 적용 전례를 깨고 최선단 공정을 적용해 성능 확장 여력을 충분히 확보했다"며 "고객사의 성능 상향 요구를 적기에 충족해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 이번 HBM4 양산을 기점으로 2026년 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년 커스텀 HBM 샘플링 등 차세대 라인업을 지속적으로 가동하며 고부가 메모리 시장에서의 지배력을 강화할 계획이다.
※ HBM4E: HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리
※ Custom HBM: Custom HBM: 고객의 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도, 전력 특성, 인터페이스 등을 맞춤 설계한 고대역폭 메모리 제품. 표준화된 제품과 달리 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있는 것이 특징
uapple
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