8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASH™) 기술로 성능 및 효율성 향상
메모리 솔루션 분야의 세계적 선도 기업인 키오시아(Kioxia Corporation)가 셀당 4비트인 쿼드러플 레벨 셀(QLC) 기술을 적용한 새로운 ‘유니버설 플래시 스토리지(Universal Flash Storage, 이하 UFS) Ver. 4.1’ 임베디드 메모리 디바이스의 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 읽기 집약적인 애플리케이션과 고용량 스토리지 요구 사항을 위해 설계된 이 새로운 디바이스는 키오시아의 8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASHTM) 3D 플래시 메모리 기술로 구동된다.
QLC UFS는 기존 TLC UFS보다 높은 비트 밀도를 제공해 더 높은 스토리지 용량이 필요한 모바일 애플리케이션에 적합하다. 컨트롤러 기술과 오류 수정 기능의 발전 덕분에 QLC 기술은 경쟁력 있는 성능을 유지하면서 이러한 진전을 이뤘다.
이러한 발전을 바탕으로 새로운 키오시아 디바이스는 상당한 성능 향상을 달성했다. 키오시아의 QLC UFS는 이전 세대(UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS) 대비 순차 쓰기 속도 25%, 랜덤 읽기 속도 90%, 랜덤 쓰기 속도 95%를 향상했다[3]. 쓰기 증폭 계수(WAF, Write Amplification Factor)도 최대 3.5배 개선했다(라이트부스터 비활성화 시).
스마트폰과 태블릿에 적합한 키오시아 QLC UFS는 PC, 네트워킹, 증강현실/가상현실(AR/VR), 사물인터넷(IoT), AI 지원 디바이스 등 더 높은 용량과 성능을 요구하는 신흥 제품 카테고리도 지원한다.
512기가바이트(GB) 및 1테라바이트(TB) 용량으로 제공되는 새로운 UFS 4.1 디바이스는 키오시아의 첨단 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리와 통합 컨트롤러를 JEDEC 표준 패키지에 결합했다. 키오시아의 8세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 플래시 메모리 설계의 획기적인 도약을 나타내는 아키텍처 혁신인 ‘어레이 직접 본딩 CMOS(CBA, CMOS directly Bonded to Array)’ 기술을 도입했다.
주요 특징
· UFS 4.1 사양 준수. UFS 4.1은 UFS 4.0 및 UFS 3.1과 하위 호환
· 8세대 키오시아 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리
· 현저히 빠른 쓰기 속도를 위한 라이트부스터(WriteBooster) 지원
· 이전 QLC UFS 대비 패키지 크기 축소: 11×13mm에서 9×13mm로 감소
uapple
기자
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