ACM의 특허 출원 중인 질소 버블링 기법으로 습식 식각 균일성 개선 및 향상된 클리닝 성능 제공
ACM 리서치의 Ultra C 습식 세정 장비
미국 반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 솔루션 기업 ACM 리서치(ACM Research)가 '울트라 C wb(Ultra C wb)' 세정 장비의 주요 업그레이드를 발표했다. 이번 개선은 첨단 노드 제조 공정의 엄격한 기술적 요구사항을 충족하기 위해 이뤄졌다.
업그레이드된 울트라 C wb는 특허 출원 중인 ACM의 질소(N2) 버블링 기법을 적용해 기존 습식 벤치 공정에서 발생하는 문제들을 해결했다. 첨단 노드 공정에서 높은 종횡비 구조에 인산을 사용하는 습식 식각(wet etching) 과정에서 나타나는 균일성 저하와 부산물 재증식 문제에 대응하기 위한 것이다. 이 기술은 인산의 전달 효율을 높이고, 습식 식각조 내 온도, 농도, 유속의 균일성을 향상시킨다. 또한, 향상된 질량 전달 효율로 웨이퍼 미세 구조 내 부산물 축적을 막아 재증식을 방지한다.
ACM의 데이비드 왕 회장 겸 최고경영자는 "성능을 최우선으로 고려해 질소 버블링 기법을 울트라 C wb에 통합했다"며 "배치 처리(batch processing)는 비용 효율성, 향상된 효율, 화학물질 사용 저감 등 다양한 이점을 제공하는 중요한 요소"라고 밝혔다.
업그레이드된 울트라 C wb는 이미 중국 본토의 주요 팹에서 공정 검증을 완료했으며, 여러 차례 재구매 주문을 받았다. 현재 다수 고객사가 장비를 평가하고 있으며, 올해 말까지 추가 공급이 예상된다.
이번 업그레이드로 울트라 C wb 장비는 ▲향상된 식각 균일성(기존 배치 공정 대비 50% 이상 개선) ▲향상된 입자 제거 성능 ▲확장된 공정 능력(첨단 노드 공정 3개 레이어에 적합) 등의 신규 기능을 갖췄다. 이 장비는 인산, H4 식각제, 수산화 테트라 메틸 암모늄(TMAH) 등 다양한 화학 용액과 함께 사용할 수 있으며, 질소 버블링의 핵심 부품 및 기술은 독립적인 지적 재산권으로 보호된다.
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uapple
기자
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