산업용 장비의 효율성과 전력 밀도를 높이는 신규 디바이스 3종
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 이하 도시바)가 최신 3세대 SiC MOSFET 칩을 탑재하고 표면 실장 TOLL 패키지를 적용한 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 3종을 출시했다. 이번 신제품은 스위치 모드 전원 공급 장치, 태양광 발전기용 파워 컨디셔너와 같은 산업용 장비에 적합하다. 신제품 ‘TW027U65C’, ‘TW048U65C’ 및 ‘TW083U65C’ 3종의 양산 출하를 시작한다.
이번 신제품은 도시바의 3세대 SiC MOSFET을 범용 표면 실장형 TOLL 패키지에 탑재한 것으로, TO-247, TO-247-4L(X)과 같은 스루홀(through-hole) 패키지 대비 부피를 80% 이상 줄여 장비의 전력 밀도를 높인다.
또한 TOLL 패키지는 스루홀 패키지보다 낮은 기생 임피던스를 제공해 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 4단자 패키지로 게이트 드라이브의 신호 소스 단자에 켈빈 연결(Kelvin connection)을 사용할 수 있다. 이는 패키지 내부 소스 와이어의 인덕턴스 영향을 줄여 고속 스위칭 성능을 구현하는 데 기여한다. 실제로 TW048U65C의 경우 턴온 손실과 턴오프 손실이 각각 약 55%와 25% 낮아져(기존 도시바 제품 대비) 장비의 전력 손실을 줄이는 데 도움이 된다.
도시바는 장비 효율 향상과 전력 용량 증가에 기여하기 위해 지속적으로 라인업을 확대할 계획이다.
응용 분야
· 서버, 데이터 센터, 통신 장비 등의 스위치 모드 전원 공급 장치
· 전기차 충전소
· 태양광 인버터
· 무정전 전원 공급 장치
특징
· 표면 실장형 TOLL 패키지: 장비 소형화 및 자동 조립을 지원하며, 낮은 스위칭 손실을 구현한다.
· 도시바 3세대 SiC MOSFET:
- 드리프트 저항과 채널 저항 비율 최적화로 드레인 소스 온 저항의 우수한 온도 의존성 실현
- 낮은 드레인 소스 온 저항×게이트 드레인 전하 지수
- 낮은 다이오드 순방향 전압: VDSF =-1.35V(typ.) (VGS =-5V)
uapple
기자
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